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分类号
杂志ISSN号
LSI中的金属化工艺
作者姓名:
谢明纲
作者单位:
中国科学院上海冶金研究所
摘 要:
钨丝加热法蒸发纯Al,采用“U”型状,在我国首先研制出双极LSI。为了缩小芯片面积,防止浅结漂发射区工艺纯Al布线后造成EB结短路,研制成功钨丝加热法蒸发Al-Si薄膜。为进一步缩小芯片面积,采用双层布线工艺,又研制成功钨丝加热法蒸发Al-Cu-Si合金膜。本文主要介绍三种薄膜蒸发工艺及应用。
关 键 词:
LSI 金属化 工艺 双层布线
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