| 基于片内热管理应用的碳化硅深孔刻蚀研究 |
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| 引用本文： | 黄语恒,郭怀新,孔月婵,陈堂胜.基于片内热管理应用的碳化硅深孔刻蚀研究[J].电子元件与材料,2019,38(9):99-104. |
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| 作者姓名： | 黄语恒 郭怀新 孔月婵 陈堂胜 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏 南京,210016;南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏 南京,210016;南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏 南京,210016;南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏 南京,210016 |
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| 基金项目： | 国防重点实验室基金资助项目 |
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| 摘 要： | 针对传统SiC衬底GaN器件高功率密度工作时的热积累问题,开展基于芯片内部嵌入高热导率材料的GaN器件芯片级热管理技术研究。在实现工艺兼容性的基础上,采用反应离子刻蚀技术对GaN器件有源区下端的SiC衬底进行深孔刻蚀工艺研究,系统地分析了刻蚀气体、射频功率及腔室压强等工艺参数对刻蚀速率的影响,并结合能谱对刻蚀表面的质量和损伤进行分析。实验发现射频功率仅能影响刻蚀速率,而刻蚀气体和压强不仅影响其刻蚀速率,还影响其刻蚀表面质量。最终提出了一种基于反应离子刻蚀技术的SiC深孔刻蚀方法,对器件热管理和SiC深孔刻蚀技术具有重要的指导意义。
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| 关 键 词： | 热管理 碳化硅 反应离子刻蚀 深孔刻蚀 表面损伤 |
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