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可调控太赫兹吸收器调制方法
引用本文:刘伟,杨其利,闫昕,杨茂生,梁兰菊.可调控太赫兹吸收器调制方法[J].电子元件与材料,2019,38(1):78-82.
作者姓名:刘伟  杨其利  闫昕  杨茂生  梁兰菊
作者单位:枣庄学院 光电工程学院,山东 枣庄,277160;枣庄学院 光电工程学院, 山东 枣庄 277160;天津大学 精密仪器与光电子工程学院, 天津 300072
基金项目:国家自然科学基金;国家自然科学基金;山东省自然科学基金;高等学校科技计划;中国博士后科学基金;枣庄市自主创新;专项项目;专项项目
摘    要:设计了一种窗棂夕阳图案太赫兹超材料吸收器。利用这种图形,从超材料太赫兹吸收器结构出发,分别通过改变顶层图案几何尺寸、中间层电介质厚度、顶层图案开口处的硅电导变化率等,设计可调控太赫兹波双频、三频、四频吸收器。重点分析了顶层图案开口处的硅电导率变化的可调控太赫兹波双频吸收器机理,其低频吸收峰吸收率由68. 7%增至99. 9%,同时低频吸收峰频率1. 043 THz红移至1. 005 THz,产生38 GHz偏移,可以实现连续频率调谐。并提出进一步深入研究本课题的建议。

关 键 词:太赫兹波  超材料吸收器  开口谐振环  隐身材料  电导率  调控

Design of tunable terahertz absorber modulation method
Abstract:
Keywords:
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