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基于液压模型的功率MOSFET有效输出电容测试方法
作者姓名:温景超  李旭红  赵彦飞  于望  袁赵详
作者单位:中国运载火箭技术研究院,北京,100076;中国运载火箭技术研究院,北京,100076;中国运载火箭技术研究院,北京,100076;中国运载火箭技术研究院,北京,100076;中国运载火箭技术研究院,北京,100076
摘    要:输出电容是影响功率MOSFET开关损耗的重要参数。在开关应用中,根据输出电容C_(oss)来确定器件的开关损耗具有一定的局限性。为了准确地评估器件的开关损耗,研究了功率MOSFET的有效输出电容C_(oer)和C_(otr)及其测试方法。首先,以液压模型理论为基础阐述了器件参数C_(oer)和C_(otr)的具体含义,并完成相应的测试电路设计。然后,建立了基于测试电路的数值计算模型;为了保证测试精度,模型中充分考虑了电压测试电路产生的负载效应。最终,采用该方法对器件的有效输出电容进行测试和计算。实验结果表明,该测试方法能对功率MOSFET的有效输出电容进行可靠测试。

关 键 词:功率MOSFET  开关损耗  液压模型  有效输出电容  测试电路  数值计算
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