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陶瓷基片表面Au/电阻复合厚膜烧结起泡及其消除
引用本文:朱文丽,刘俊夫,董永平,卫敏,汤文明.陶瓷基片表面Au/电阻复合厚膜烧结起泡及其消除[J].电子元件与材料,2019,38(12):54-61.
作者姓名:朱文丽  刘俊夫  董永平  卫敏  汤文明
作者单位:合肥工业大学 材料科学与工程学院,安徽 合肥,230009;中国电子科技集团第43研究所,安徽 合肥,230088
基金项目:中央高校基本科研业务费专项
摘    要:针对以国内新研发的Au导体浆料与电阻浆料在Al_2O_3基片表面印制的Au导体/电阻复合厚膜烧结易起泡的现象,在探明起泡原因的基础上,研究了烧结温度、升温速率以及Au层厚度对复合厚膜起泡的影响,进一步优化厚膜工艺,制备出无起泡的复合厚膜。研究表明,烧成温度过高导致的玻璃相浮于复合膜层表面并结晶,烧结过程不充分和Au层厚度不足等导致不能在陶瓷基片/Au层界面形成连续的玻璃相粘结层,界面结合强度大大降低,在陶瓷基片/Au层界面易起泡。在烧结峰值温度为825℃,升温速率为40℃/min,Au导体层厚度为10μm的工艺条件下,复合厚膜与陶瓷基片结合紧密,无起泡现象。

关 键 词:厚膜电子浆料  烧结工艺  起泡机理  显微结构  相组成

Sinter blistering and its elimination method in the Au/resistance composite thick film on the ceramic substrate
Abstract:
Keywords:
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