| CuO-B2O3掺杂对BaAl2 Si2O8陶瓷结构及微波介电性能的影响 |
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| 引用本文： | 黄龙,丁士华,严欣堪,宋天秀,张云.CuO-B2O3掺杂对BaAl2 Si2O8陶瓷结构及微波介电性能的影响[J].电子元件与材料,2019,38(6):32-37. |
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| 作者姓名： | 黄龙 丁士华 严欣堪 宋天秀 张云 |
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| 作者单位： | 西华大学 材料科学与工程学院,四川 成都,610039;西华大学 材料科学与工程学院,四川 成都,610039;西华大学 材料科学与工程学院,四川 成都,610039;西华大学 材料科学与工程学院,四川 成都,610039;西华大学 材料科学与工程学院,四川 成都,610039 |
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| 基金项目： | 教育部春晖计划;国家自然科学基金;四川省特种材料;实验室开放基金;四川省教育厅项目;四川省粉末冶金工程技术中心资助项目;四川省粉末冶金工程技术中心资助项目;创新基金;创新基金 |
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| 摘 要： | 采用固相反应法制备BaAl_2Si_2O_8-x(CuO-B_2O_3)(质量分数x=0%,1%,1.5%,2%,2.5%)陶瓷。探究了添加不同量的CuO-B_2O_3(CB)烧结助剂对BaAl_2Si_2O_8(BAS)陶瓷的烧结温度、结构及微波介电性能的影响。结果表明:质量分数1%的CB烧结助剂可促进BAS晶体结构由六方相全部转变为单斜相,并且CB烧结助剂添加量在质量分数2.5%范围以内,无第二相生成。添加质量分数1%的CB烧结助剂可使BAS陶瓷烧结密度增加到最大值,并能将烧结温度由1400℃降低至1250℃,制备的BAS陶瓷的相对介电常数(ε_r)和品质因数(Q·f)达到最大值,并且谐振频率温度系数(τ_f)的绝对值也减小至最小值,其介电性能为:ε_r=6.47,Q·f=30198 GHz,τ_f=-14.78×10~(-6)℃~(-1)。
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| 关 键 词： | 钡长石 烧结助剂 六方相 单斜相 晶体结构 介电性能 |
Effect of CuO-B_2O_3 doping on structure and microwave dielectric properties of BaAl_2Si_2O_8 ceramics |
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