| 毫米波单片平衡放大器 |
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| 引用本文： | 贾晨阳,韩方彬,彭龙新.毫米波单片平衡放大器[J].电子元件与材料,2019,38(1):72-77. |
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| 作者姓名： | 贾晨阳 韩方彬 彭龙新 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,江苏 南京,210016;南京电子器件研究所,江苏 南京,210016;南京电子器件研究所,江苏 南京,210016 |
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| 摘 要： | 研制了一款毫米波(26～40 GHz)平衡式单片放大器芯片。放大器基于0. 15μm GaAs pHEMT工艺,实现了毫米波全频段(26～40 GHz)增益放大。采用Lange桥平衡结构,使放大器较于单边放大器有更好的输入输出驻波比,更大的1 dB增益压缩输出功率。设计时结合pHEM T晶体管小信号和大信号模型,采用自偏和RLC并联负反馈结构,在减小芯片面积的同时提高了电路的稳定性。放大器芯片尺寸仅1. 6 mm×1. 6 mm,在工作频率26～40 GHz内,测试结果表明:输入、输出驻波比小于1. 5,增益在11 dB附近,平坦度在±0. 5 dB,1 dB增益压缩输出功率大于11 dBm。测试结果验证了设计的正确性。
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| 关 键 词： | 毫米波 平衡式单片放大器 GaAs pHEMT Lange桥 |
Millimeter-wave monolithic balanced amplifier |
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