Cu掺杂对Cu-Mn-Co-Ni-O薄膜结构和性能的影响 |
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作者姓名: | 邹小华 傅邱云 李睿锋 |
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作者单位: | 华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉 430074;华中科技大学教育部敏感陶瓷工程研究中心,湖北武汉 430074;华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉 430074;华中科技大学教育部敏感陶瓷工程研究中心,湖北武汉 430074;华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉 430074;华中科技大学教育部敏感陶瓷工程研究中心,湖北武汉 430074 |
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摘 要: | 通过金属有机物热分解法制备了结构为Ag/NTC/SiO_2/Si的薄膜NTC(负温度系数)热敏电阻,研究了Cu掺杂对Cu_xMn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_(4+y)[x=0~0.25,(x+3)/(4+y)=3/4]薄膜结构和性能的影响,并对其导电机理进行了分析。结果表明,少量Cu(x≤0.2)掺杂可以迅速降低薄膜的室温电阻值,过量则会导致薄膜产生孔隙和缺陷; Cu主要以Cu~+形式存在并占据A位;随着Cu掺杂量的增加,会使Cu~+和Mn~(3+)/Mn~(4+)离子对的含量占比均增加,促进两种电子跳跃机制导电。当x=0.2时,薄膜电阻有最佳的性能:R_(25)=0.082 MΩ,B_(25/50)=3250 K。
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关 键 词: | NTC 热敏电阻 薄膜 Cu掺杂 导电机理 |
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