Ca-B-Si玻璃掺杂对SrTiO_3基半导体陶瓷材料性能的影响

采用二次烧结法制备了Ca-B-Si(CBS)玻璃掺杂的SrTiO_3基晶界层型陶瓷电容器材料。研究了CBS玻璃作为掺杂剂对SrTiO_3基半导体陶瓷电容器微观结构、介电性能及温度稳定性的影响。结果表明,适量的CBS掺杂能明显改善材料的电容温度稳定性,提高相对介电常数(ε_r),降低介电损耗(tanδ)。当CBS质量分数为0.4%时,可获得最佳的电学性能:ε_r为19418,tanδ为0.007,在-55～150℃电容温度变化率(ΔC·C~(-1))小于10%,绝缘电阻率大于2.1×10~(11)Ω·cm。