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| LiF添加对YAG陶瓷微波介电性能的影响 | |
| 作者单位： | ;1.南京工程学院材料工程学院;2.江苏省先进结构材料与应用技术重点实验室 |
| 摘 要： | 采用常规固相烧结法制备了YAG陶瓷,并研究了烧结温度和LiF添加量对YAG陶瓷微观结构和微波介电性能的影响。结果表明,LiF的添加不仅可以有效降低YAG陶瓷的烧结温度,而且显著提高其微波介电性能。当LiF添加量为质量分数5%时,YAG陶瓷经1500℃烧结6 h后的相对密度为97.5%,显微组织较均匀、致密,具有优异的微波介电性能:ε_r=11.3,Q·f=67130 GHz,τ_f=-53.4×10~(-6 )℃~(-1)。当LiF添加量过多时,YAG陶瓷的气孔率增加,Q·f值显著下降。 |
| 关 键 词： | YAG陶瓷 烧结温度 LiF添加量 微波介电性能 |
Effects of LiF addition on microwave dielectric properties of YAG ceramics |
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