基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺的1.2 GHz LNA的设计和仿真 |
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引用本文: | 祁赓,黄海生,李鑫,惠强.基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺的1.2 GHz LNA的设计和仿真[J].电子元件与材料,2019,38(12). |
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作者姓名: | 祁赓 黄海生 李鑫 惠强 |
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作者单位: | 西安邮电大学 电子工程学院,陕西 西安,710121 |
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基金项目: | 国家自然科学基金;西安邮电大学研究生创新基金 |
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摘 要: | 针对射频接收机芯片中的低噪声放大器(Low-Noise Amplifier,LNA)电路在工作时要求拥有更小的噪声系数和更好的隔离度等问题,采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺结合共源共栅结构设计了一款低噪声放大器,在导航接收机中主要用来接收GPS L2频段信号和BDS B2频段信号。通过对器件尺寸的计算和选择,使得电路具有良好的噪声性能及线性度。利用Cadence软件中Spectre对所设计的电路进行仿真。得到仿真结果为:LNA在1.8 V电源电压下,功耗为4.28 mW,功率增益为18.51 dB,输入回波损耗为38.67 dB,输出回波损耗为19.21 dB,反向隔离度S_(12)为-46.91 dB,噪声系数(Noise Figure,NF)为0.41 dB,输入1 dB压缩点为-11.70 dBm,输入三阶交调点为-1.50 dBm。
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关 键 词: | 低噪声放大器 共源共栅 噪声系数 功率增益 1dB压缩点 |
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