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| 基于GaN HEMT的S波段的功率放大器设计 | |
| 引用本文： | 张书源,钟世昌.基于GaN HEMT的S波段的功率放大器设计[J].电子技术应用,2019,45(1). |
| 作者姓名： | 张书源 钟世昌 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,江苏南京,210016;南京电子器件研究所,江苏南京,210016 |
| 摘 要： | 采用内匹配技术,使用单胞的电路结构,设计并实现了一款3.8~4.2 GHz的功率放大器。该放大器基于南京电子器件研究所自主研制的GaN HEMT管芯芯片。通过优化设计该放大器在10%的相对带宽、漏源电压28 V、连续波的工作条件下,实现了输出峰值功率P_(out)大于30 W,功率附加效率PAE大于48%,充分显示了GaN功率器件宽带、高效和高功率的工作性能,具有广阔的工程应用前景。 |
| 关 键 词： | 内匹配 高效率 功率放大器 S波段 |
Design of S band power amplifier based on the GaN HEMT |
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