| 键合法制备硅基1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器 |
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| 引用本文： | 于丽娟,赵洪泉,杜云,黄永箴.键合法制备硅基1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器[J].半导体学报,2006,27(4):741-743. |
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| 作者姓名： | 于丽娟 赵洪泉 杜云 黄永箴 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 在硅基上成功地制备出了1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器.设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料,通过直接键合技术,将Si衬底与InP-InGaAsP外延片键合到一起.剥离去掉InP衬底后,在5～6μm的薄膜上制备出20μm条形边发射激光器.室温下,阈值电流160mA(电流密度为2.7kA/cm2),功率可达10mW以上(在约350mA电流下),实现了1.55μm长波长边发射激光器与Si的集成.目前,该结果国际上还未见报道.
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| 关 键 词： | 直接键合 长波长激光器 硅基 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)04-0741-03 |
| 修稿时间： | 2005年9月26日 |
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