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| CIGS薄膜(InGa)2Se3-富Cu-富In(Ga)的演变 | |
| 引用本文： | 薛玉明,徐传明,张力,孙云,王伟,杨保和.CIGS薄膜(InGa)2Se3-富Cu-富In(Ga)的演变[J].光电子．激光,2008,19(3):348-351. |
| 作者姓名： | 薛玉明 徐传明 张力 孙云 王伟 杨保和 |
| 作者单位： | 1. 天津理工大学,天津市薄膜电子与通信器件重点实验室,天津,300191 2. 上海太阳能工程技术研究中心,上海,200241 3. 南开大学信息学院,天津,300071 4. 山西省汾阳市汾阳中学,汾阳,032200 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 天津市教委资助项目 |
| 摘 要： | 采用三步共蒸发工艺顺序沉积铜铟镓硒(CuInGaSe2,CIGS)薄膜.薄膜的厚度、组份、晶相结构分别由台阶仪、X射线荧光光谱仪(XRF)和X射线衍射仪(XRD)来表征.在(In,Ga)2Se3预制层-富Cu相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)5Se8、Cu(In,Ga)3Se5、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe).在富Cu相-富In(Ga)相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe)、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)3Se5、Cu(In,Ga)5Se8.对这两个演变过程中薄膜的生长机理和结构特性进行了讨论. |
| 关 键 词： | CIGS OVC(ODC) (In Ga)2Se3预制层 富Cu 富In(Ga) 三步共蒸发 CIGS 薄膜 演变过程 Evolution rich 结构特性 生长机理 液相 相变 发生 预制 表征 衍射仪 射线荧光光谱仪 台阶仪 晶相结构 厚度 铜铟镓硒 顺序沉积 蒸发工艺 |
| 文章编号： | 1005-0086（2008）03-0348-04 |
| 收稿时间： | 2007-11-02 |
| 修稿时间： | 2007-11-29 |
Evolution of (In,Ga)2Se3 -Cu rich -In(Ga) rich of CIGS thin films |
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| XUE Yu-ming,XU Chuan-ming,ZHANG Li,SUN Yun,WANG Wei,YANG Bao-he.Evolution of (In,Ga)2Se3 -Cu rich -In(Ga) rich of CIGS thin films[J].Journal of Optoelectronics·laser,2008,19(3):348-351. | |
| Authors: | XUE Yu-ming XU Chuan-ming ZHANG Li SUN Yun WANG Wei YANG Bao-he |
| Affiliation: | XUE Yu-ming1,XU Chuan-ming3,ZHANG Li2,SUN Yun2,WANG Wei4,YANG Bao-he1(1.Tianjn Key Laboratory of Film Electronic , Communication Devices,Tianjin University of Technology,Tianjin 300191,2.College of Information Technical Science,Nankai University,Tianjin 300071,China,3.Shanghai Solar Energy Research Centre,Shanghai 200241,4.Fen Yang Middle School,Fenyang,Shanxi Province 032200) |
| Abstract: | CIGS thin films were sequentially deposited by three stage co-evaporation technique.The thickness,the composition and the crystal structure of the films were measured by step meter,X-ray fluorescence(XRF) and X-ray diffraction(XRD) respectively.The crsytal phase evolution is Cu(In,Ga)5Se8,Cu(In,Ga)3Se5,Cu2(In,Ga)4Se7(or Cu(In,Ga)2Se3.5) and Cu(In,Ga)Se2(CuxSe) successively from(In,Ga)2Se3 to Cu rich phases.The crsytal phase evolution is Cu(In,Ga)Se2(CuxSe),Cu2(In,Ga)4Se7(or Cu(In,Ga)2Se3.5),Cu(In,Ga)3Se5 an... |
| Keywords: | CIGS OVC(ODC) (In Ga)2Se3 precursor Cu rich In(Ga)rich three stage Co-evaporation |
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