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一种新型非穿通型IGBT
作者姓名:
刘晖 余岳辉
摘 要:
本文介绍了一种新型的非穿通型(NPT)绝缘栅双极晶体管(IGBT)。该器件直接基于体硅材料上而没有任何降低寿命的步骤。论证了此器件能兼具低通压降、低开关损耗以及高压能力。与常规NPT器件相比,其通态压降与关断损耗间的折衷关系更优越。分析了器件的温度特性及擎住特性。结果表明,这种NPT结构的温度特性优良,短路电流能力非常高,无擎住发生。
关 键 词:
IGBT 非穿通型 绝缘栅 双极晶体管
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