| 深槽隔离技术中硅的反应离子刻蚀 |
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| 引用本文： | 赵伟,李勇.深槽隔离技术中硅的反应离子刻蚀[J].微电子学,1994,24(4):36-40. |
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| 作者姓名： | 赵伟 李勇 |
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| 作者单位： | 电子工业部第二十四研究所 |
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| 摘 要： | 本文叙述了在反应离子刻蚀（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）系统中采用无碳含氟原子刻蚀气体（ＳＦ＿６，ＮＦ＿３）对硅的深槽刻蚀；分析了真空压力、射频功率、气体组合及其流量和电极温度对刻蚀速率、刻蚀剖面的影响；并根据实验结果，绘出了刻蚀速率与以上物理变量的函数关系曲线；得到刻蚀速率０．５～０．７μｍ／ｍｉｎ，糟宽≤５．０μｍ，深度大于６．０μｍ，横向腐蚀小于１．５μｍ的各向异性刻蚀剖面。本研究技术将应用于超高速ＥＣＬ分频器电路，双极高可靠抗辐射加固稳压器件和ＢｉＣＭＯＳ模拟电路的实际制作中。
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| 关 键 词： | 深槽隔离 反应离子刻蚀 硅 |
Reactive Ion Etching of Silicon for Trench Isolation |
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| Zhao Wei,Li Yong.Reactive Ion Etching of Silicon for Trench Isolation[J].Microelectronics,1994,24(4):36-40. |
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| Authors: | Zhao Wei Li Yong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Trench isolation Anisotropic etching Etching profile RIE |
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