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| 新颖的微波器件材料—InGaAs／GaAs异质结构 | |
| 引用本文： | 彭正夫,张允.新颖的微波器件材料—InGaAs／GaAs异质结构[J].半导体杂志,1994,19(1):52-55. |
| 作者姓名： | 彭正夫 张允 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 新颖的微波器件材料──ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构彭正夫，张允，龚朝阳，高翔，孙娟，吴鹏（南京电子器件研究所２１００１６）一、引言众所周知，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定．由于ＩｎＧａＡｓ的电子饱和速度比Ｇａ... |
| 关 键 词： | 微波器件 半导体材料 |
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