| AlSiCu反应离子刻蚀技术 |
| |
| 引用本文： | 马宏. AlSiCu反应离子刻蚀技术[J]. 微电子学, 1994, 24(3): 34-40 |
| |
| 作者姓名： | 马宏 |
| |
| 作者单位： | 中国华晶电子集团公司中央研究所 |
| |
| 摘 要： | 在Ｔｅｇａｌ１５１２ｅ反应离子刻蚀（ＲＩＥ）设备上，利用Ｃｌ＿２和ＳｉＣｌ＿４为主要刻蚀气体，进行了ＡｌＳｉ０．８％－Ｃｕ２％的ＲＩＥ工艺研究，详细讨论了影响工艺的诸多因素，涉及ＡｌＳｉＣｕ材料本身结构的差异，ＲＩＥ工艺各参数，后处理等许多方面；给出实用化的工艺程序；最小加工线宽达到２μｍ，体刻蚀速率达８７０ｎｍ／ｍｉｎ，均匀性±５％，线宽损失小于１０％，对热氧化ＳｉＯ＿２的刻蚀选择比为４∶１，对ＡＺ１４５０Ｊ正性抗蚀剂的刻蚀选择比大于１．８∶１；该工艺使用效果良好，达到实用化水平。
|
| 关 键 词： | 反应离子刻蚀 各向异性 AlSiCu |
Reactive Ion Etching of AlSiCu |
| |
| Ma Hong. Reactive Ion Etching of AlSiCu[J]. Microelectronics, 1994, 24(3): 34-40 |
| |
| Authors: | Ma Hong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Reactive ion etching Polymer Isotropy Post corrosion |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
