| Ge2Sb2Te5相变存储器导电机制研究 |
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| 引用本文： | 李亦清,王子欧,李有忠,陈智,毛凌锋. Ge2Sb2Te5相变存储器导电机制研究[J]. 功能材料与器件学报, 2011, 17(5): 470-475 |
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| 作者姓名： | 李亦清 王子欧 李有忠 陈智 毛凌锋 |
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| 作者单位： | 苏州大学电子信息学院,苏州,215021 |
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| 摘 要： | 本文研究了Ge2 Sb2 Te5相变存储器的导电机制.本文考虑了实验中观察到的场致激活能的非线性下降以及结晶化后跳跃间距变大带来的影响,提出了一种有效导带底偏移模型,并在此基础上建立了修正的电流模型.计算结果表明,激活能随电压增加呈双曲余切的下降趋势,符合测量结果.该模型还包含了温度效应,结果表明跳跃间距与温度成反比....
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| 关 键 词： | Ge2 Sb2 Te5 相变存储器 跳跃导电 陷阱辅助隧穿 |
Study of the Conduction Mechanism in Ge2Sb2Te5 based Phase -Change Memory |
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| Li Yi-qing,Wang Zi-ou,Li You-zhong,Chen Zhi,Mao Ling-feng. Study of the Conduction Mechanism in Ge2Sb2Te5 based Phase -Change Memory[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2011, 17(5): 470-475 |
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| Authors: | Li Yi-qing Wang Zi-ou Li You-zhong Chen Zhi Mao Ling-feng |
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