| 半导体器件钝化膜应力的测量研究 |
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| 引用本文： | 杨银堂,孙青,庄奕琪,张忠良.半导体器件钝化膜应力的测量研究[J].微电子学,1988(2). |
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| 作者姓名： | 杨银堂 孙青 庄奕琪 张忠良 |
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| 作者单位： | 西北电讯工程学院微电子研究所
(杨银堂，孙青，庄奕琪)，西北电讯工程学院微电子研究所(张忠良) |
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| 摘 要： | 作者建立了一套激光反射法薄膜应力测量装置。经分析得到其测量相对误差小于10％,灵敏度为1.8×10~8dyn/cm~2。利用该装置测量了常用的PECVD SiN和SiO_2钝化膜的应力,它们均呈压应力,数值分别为1～3×10~(10)dyn/cm~2和1～2×10~9dyn/cm~2。给出了不同的工艺条件、薄膜厚度和测试温度下的应力以及退火处理对应力的影响。
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| 关 键 词： | 半导体器件 激光反射法 钝化膜 退火处理 |
Measurement and Study on Stresses of Passivated Films for Semiconductor Devices |
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| Yan Yintang,Sun Qing,Zhuang Yiqi ar.d Zhang Zhongliang.Measurement and Study on Stresses of Passivated Films for Semiconductor Devices[J].Microelectronics,1988(2). |
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| Authors: | Yan Yintang Sun Qing Zhuang Yiqi ard Zhang Zhongliang |
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| Affiliation: | N.orthwest Telecommunication Engineering Institute |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Semiconductor device laser reflcction measument passjvated film anncaling treatment |
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