| 单片式128×1氧化钒微测辐射热计非致冷焦平面的研制 |
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| 作者姓名： | 陈永平 刘强 施永明 唐成伟 梁平治 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083 |
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| 基金项目： | 中科院预研项目(42201030104) |
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| 摘 要： | 采用氧化钒薄膜、低应力介质膜和CMOS读出电路技术,研制了单片式128×1非致冷焦平面.氧化钒薄膜的制备采用了一种新的方法,焦平面的信号读出采用了CTIA积分方式.应用一种双频PECVD技术制备了低应力氮化硅薄膜,有效改善了微桥的平整度.通过氮化硅和氧化钒薄膜自身的红外吸收,焦平面在8～14μm波段的平均响应率达到8.2×104V/W,平均D*达到2.3×108cmHz1/2/w.焦平面的均匀性需要进一步改善.
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| 关 键 词： | 非致冷焦平面 氧化钒 低应力氮化硅 微桥 |
| 文章编号： | 1001-9014(2007)05-0336-04 |
| 收稿时间： | 2006-12-29 |
| 修稿时间： | 2006-12-29 |
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