| VHF-PECVD沉积本征微晶硅薄膜氧污染研究 |
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| 引用本文： | 陈庆东,王俊平,张宇翔,卢景霄.VHF-PECVD沉积本征微晶硅薄膜氧污染研究[J].真空,2010,47(5). |
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| 作者姓名： | 陈庆东 王俊平 张宇翔 卢景霄 |
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| 作者单位： | 1. 滨州学院物理与电子科学系,山东,滨州,256600
2. 郑州大学材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052 |
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| 摘 要： | 通过激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜,并对不同沉积功率、不同沉积压强条件下沉积制备的样品的激活能进行了分析研究。结果表明:在不同功率、不同气压沉积条件下沉积的微晶硅薄膜,激活能偏低,薄膜在沉积过程中被氧杂质污染;随着沉积功率的增大和沉积气压的增大,沉积速率随着提高,样品的激活能升高,通过提高沉积功率和沉积气压可以有效的抑制氧污染。
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| 关 键 词： | 微晶硅 激活能 |
Investigation on oxygen contamination of intrinsic microcrystalline silicon thin films deposited by VHF-PECVD |
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| CHEN Qing-dong,WANG Jun-ping,ZHANG Yu-xiang,LU Jing-xiao.Investigation on oxygen contamination of intrinsic microcrystalline silicon thin films deposited by VHF-PECVD[J].Vacuum,2010,47(5). |
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| Authors: | CHEN Qing-dong WANG Jun-ping ZHANG Yu-xiang LU Jing-xiao |
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| Keywords: | VHF-PECVD |
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