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杂志ISSN号
钝化膜的低温等离子体淀积
引用本文:
张冠生.钝化膜的低温等离子体淀积[J].半导体技术,1981(3).
作者姓名:
张冠生
作者单位:
复旦大学
摘 要:
硅烷气体分别和氮气、氧化亚氮(N_2O)通过射频电场产生辉光放电等离子体,以此增强化学反应降低淀积温度,在常温至350℃的条件下淀积了氮化硅和二氧化硅。 本文给出了在不同射频功率,淀积温度和硅烷气浓度条件下所得的淀积速率,薄膜腐蚀速率、折射率等主要实验数据以及红外透射光谱、俄歇电子能谱分析结果。
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