制作在SOI膜单晶硅中的晶体管

在绝缘层上激光再结晶硅中制作结体管业已实现。用氮化硅抗反射窄条,使硅在激光扫描退火后的边缘变陡。抗反射窄条可以精确控制晶粒边界的位置。晶粒边界在标准的LOCOS工艺中氧化,生成了完全嵌入氧化物中的单晶硅窄条。在再结晶的材料中制备了n沟晶体管和环形振荡器。获得的晶体管中表面迁移率为650cm~2/V.sec,测得环形振荡器(L=5μm)中每级延迟时间为1毫微秒。