| CMOS/SOI4kb静态随机存储器 |
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| 引用本文： | 刘新宇,孙海峰,刘洪民,韩郑生,海潮和. CMOS/SOI4kb静态随机存储器[J]. 功能材料与器件学报, 2002, 8(2): 165-169 |
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| 作者姓名： | 刘新宇 孙海峰 刘洪民 韩郑生 海潮和 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京100029 |
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| 摘 要： | 对一种CMOS/SOI4kb静态随机存储器进行了研究,其电路采用1k×4的并行结构体系.为了提高电路的速度和降低功耗,采用地址转换监控Address-Translate-Detector(ATD)、两级字线Double-Word-Line(DWL)和新型的两级灵敏放大等技术,其地址取数时间为30ns,最小动态工作电流为30mA(工作电压5V,工作频率2MHz),静态维持电流为1mA.CMOS/SOI4kb静态随机存储器采用1.2μm单层多晶、双层金属的SOICMOS抗辐照工艺技术,其六管存储单元尺寸较小12.8μm×8.4μm,芯片尺寸为3.6mm×3.84mm.
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| 关 键 词： | CMOS／SOI 静态随机存储器 ATD电路 DWL技术 抗辐照工艺 |
| 文章编号： | 1007-4252(2002)02-0165-05 |
| 修稿时间： | 2001-08-27 |
CMOS/SOI 4kb SRAM |
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| LIU Xin -yu,SUN Hai -feng,LIU Hong -min,HAN Zheng -sheng,HAI Chao -he. CMOS/SOI 4kb SRAM[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2002, 8(2): 165-169 |
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| Authors: | LIU Xin -yu SUN Hai -feng LIU Hong -min HAN Zheng -sheng HAI Chao -he |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ATD circuit DWL technology Anti -irradiation |
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