| 选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展 |
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| 引用本文： | 张帷,刘彩池,郝秋艳. 选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展[J]. 半导体技术, 2007, 32(2): 93-96 |
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| 作者姓名： | 张帷 刘彩池 郝秋艳 |
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| 作者单位： | 河北工业大学,材料学院,天津,300130;河北工业大学,材料学院,天津,300130;河北工业大学,材料学院,天津,300130 |
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| 基金项目： | 教育部跨世纪优秀人才培养计划 , 河北省自然科学基金 |
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| 摘 要： | Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一,具有宽禁带、高温下物理、化学性质稳定等特点,在光电子、微电子等领域有广泛的应用.降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和高寿命GaN器件的关键,也是人们始终致力于研究的内容,本讨论对近年来发展的一种采用选择性生长技术生长GaN的方法、原理、进展情况进行了介绍.
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| 关 键 词： | 氮化镓 外延 横向过生长 悬挂式外延生长 |
| 文章编号： | 1003-353X（2007）02-0093-04 |
| 修稿时间： | 2006-08-09 |
The Development of the Study on Selectively Growth of GaN |
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| ZHANG Wei,LIU Cai-chi,HAO Qiu-yan. The Development of the Study on Selectively Growth of GaN[J]. Semiconductor Technology, 2007, 32(2): 93-96 |
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| Authors: | ZHANG Wei LIU Cai-chi HAO Qiu-yan |
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| Affiliation: | School of Materical Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN epitaxial lateral overgrowth (ELO) pendeo-epitaxy (PE) |
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