| SiGe HBT功率放大器基极偏置电阻的优化 |
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| 引用本文： | 何莉剑,张万荣,谢红云,张蔚. SiGe HBT功率放大器基极偏置电阻的优化[J]. 半导体技术, 2007, 32(12): 1025-1027,1064 |
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| 作者姓名： | 何莉剑 张万荣 谢红云 张蔚 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,电控学院,北京,100022;北京工业大学,电控学院,北京,100022;北京工业大学,电控学院,北京,100022;北京工业大学,电控学院,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 北京市教委科技发展计划项目 , 北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目 , 北京市优秀人才培养基金 , 北京市优秀人才培养基金 , 北京工业大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 模拟了基极偏置电阻对功率放大器参数的影响.在兼顾效率、S参数、电压驻波比、功率增益及稳定性等特性的同时,得到了三阶交调信号幅度为最小值时的优化基极偏置电阻.模拟结果表明,一个优化的基极偏置电阻,不仅能使功率放大器的直流偏置点不受影响,三阶交调信号幅度最小,功率增益平坦度得到改善,而且S参数也能满足功放的要求.
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| 关 键 词： | 线性 功率放大器 偏置电阻 |
| 文章编号： | 1003-353X（2007）12-1025-03 |
| 收稿时间： | 2007-05-17 |
| 修稿时间： | 2007-05-17 |
Optimization of Base Bias Resistor in SiGe HBT Power Amplifier |
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| HE Li-jian,ZHANG Wan-rong,XIE Hong-yun,ZHANG Wei. Optimization of Base Bias Resistor in SiGe HBT Power Amplifier[J]. Semiconductor Technology, 2007, 32(12): 1025-1027,1064 |
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| Authors: | HE Li-jian ZHANG Wan-rong XIE Hong-yun ZHANG Wei |
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| Abstract: | The effect of base bias resistors on the parameters of PA(power amplifier)was simulated.Under the condition of satisfying the requirement of efficiency,S parameters,voltage standing wave rate(VSWR),power gain and stabilization,the base bias resistor was optimized for minimizing the third-order inter-modulation.It shows that an optimum base bias resistor can make the PA DC bias point unchanged,make the third-order inter-modulation minimum and improve the flatness of power gain,and make the S parameters meet the requirement of PA. |
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| Keywords: | linearity power amplifier bias resistor |
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