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| GaAs单晶LEC生长技术的最新进展 | |
| 引用本文： | 任学民.GaAs单晶LEC生长技术的最新进展[J].电子材料（机电部）,1995(1):11-14. |
| 作者姓名： | 任学民 |
| 摘 要： | 论述了国外晶体生长学者为了降低ＧａＡｓ单晶位错密度对ＬＥＣ技术所作的重大改进工作；介绍了ＬＥＣ技术的进展状况。 |
| 关 键 词： | 砷化镓 单晶 LEC技术 位错密度 |
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