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10GHz 0.25μm CMOS LC压控振荡器
作者姓名:王欢  王志功  冯军  章丽  李伟
作者单位:东南大学射频与光电集成电路研究所,南京 210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京 210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京 210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京 210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京 210096
摘    要:采用标准0.25μm CMOS工艺实现了10GHz LC压控振荡器.为了适应高频工作,并实现低相位噪声,该压控振荡器采用了手动优化的带中心抽头的对称电感,将A-MOS变容二极管与无源金属-绝缘层-金属电容串联,并采用了带LC滤波器的尾电流源.测试结果显示,当振荡频率为10.2GHz时,在1MHz频偏处相位噪声为-103.2dBc/Hz,调谐范围为11.5%. 供电电压为3.3V时,核心电路功耗为9.0mW. 芯片面积为0.67mm×0.58mm.

关 键 词:压控振荡器  LC振荡器  CMOS工艺
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