化学气相沉积二硫化钼薄膜的研究进展 |
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作者单位: | ;1.武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室 |
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摘 要: | 总结了二硫化钼薄膜的特性及其在力学、光电、润滑和催化性能方面的广泛应用。归纳了目前化学气相沉积(CVD)技术制备二硫化钼薄膜的主要方法,包括钼(或钼化合物)的硫化,钼前驱体与硫前驱体的直接反应和硫化物的热分解。讨论了化学气相沉积制备二硫化钼薄膜工艺中成核剂、基板和前驱体对薄膜生长过程的影响,分析了二硫化钼和其他硫族化合物生成合金,与其它单层二维材料形成异质结构方面的研究现状,并对该领域今后的研究方向进行了展望。
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关 键 词: | 化学气相沉积 二硫化钼薄膜 工程应用 |
The Review of Chemical Vapor Deposition of MoS_2 Films |
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