摘 要: | 在集成电路结构中,广泛采用铝作为互连线。随着大规模和超大规模集成电路的发展,同对其它结构层的要求一样,需要对铝膜进行窄线条小间距的精细蚀刻;此外,作为互连线,必须保持一定的电流容量,因而要求Al条具有较小的宽度与厚度比。显然,常规的湿法化学腐蚀是不能满足这些要求的。因此,近几年来,许多人对铝的干法腐蚀进行了广泛的探索,以寻求适用于高集成度的电路中铝刻蚀的理想工艺。 目前研究的干法工艺中有离子束腐蚀、射频溅射腐蚀,反应离子腐蚀(或称反应溅射腐蚀)和等离子腐蚀等四种。前两种方法由于设备庞大复杂,腐蚀速率小,选择性差,离子轰击损伤大等缺点,因而较少采用。报导较多并有成熟
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