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100%填充因子的硅微透镜阵列的制作
引用本文:闫建华,欧文,欧毅.100%填充因子的硅微透镜阵列的制作[J].半导体学报,2012,33(3):034008-4.
作者姓名:闫建华  欧文  欧毅
作者单位:中国科学院微电子研究所
基金项目:中国大学生自然科学基金
摘    要:本文成功制作出了表面光滑且具有100%填充因子的硅微阵列阵列结构。制作流程包括:旋涂光刻胶,热熔融和反应离子可是转移。首先,在硅衬底上旋涂SU-8光刻胶,并光刻显影;其次,热熔融和热处理光刻胶阵列得到光刻胶微透镜阵列;最后,反应离子刻蚀转移形成硅微透镜阵列。实验表明,通过调节反应离子刻蚀气体SF6和O2的量分别到60sccm和50sccm,就可以得到无间距的硅微透镜阵列。在此种情况下,光刻胶和硅衬底的刻蚀速率比值为1:1.44。单个微透镜底端尺寸为30.1微米,高度为3微米,焦距在15.4微米到16.6微米之间。

关 键 词:热回流    微透镜阵列    反应离子刻蚀  SU8-2005光刻胶

Fabrication of a 100% fill-factor silicon microlens array
Yan Jianhu,Ou Wen and Ou Yi.Fabrication of a 100% fill-factor silicon microlens array[J].Chinese Journal of Semiconductors,2012,33(3):034008-4.
Authors:Yan Jianhu  Ou Wen and Ou Yi
Affiliation:Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China
Abstract:
Keywords:thermal reflow  microlens array  RIE  SU8-2005 photoresist
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