基于0.15mm GaAs PHEMT的具有可调增益控制的低噪声分布式放大器设计

基于0.15?m GaAs PHEMT工艺设计了具有九级增益单元的低噪声分布式放大器，一个可选的栅极偏置为放大器提供了10dB的可调增益控制。所设计的放大器采用了一种新的共源共栅结构以提高输出电压和带宽。测试结果表明该放大器在频带2~20GHz带宽内具有15dB的平均增益，带内增益平坦度为?1dB；噪声系数在2~20GHz频带内为2dB-4.1dB。放大器在1dB增益压缩点处输出功率为13.8dBm，显示了良好的线性特性。电源电压为5V时总的功率损耗为300mW，芯片面积为2.36?1.01 mm2。