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SVGA OLEDoS 微显示驱动电路的实现
引用本文:赵博华,黄苒,马飞,谢国华,张振松,杜寰,罗家俊,赵毅. SVGA OLEDoS 微显示驱动电路的实现[J]. 半导体学报, 2012, 33(3): 035006-6
作者姓名:赵博华  黄苒  马飞  谢国华  张振松  杜寰  罗家俊  赵毅
作者单位:中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,吉林大学 集成光电子学国家重点实验室,吉林大学 集成光电子学国家重点实验室,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,吉林大学 集成光电子学国家重点实验室
基金项目:国家基础研究重大项目基金;国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:本文提出了一种分辨率为800?600硅基有机发光二极管(Organic-Light-Emitting-Diode -on-Silicon, OLEDoS)像素驱动电路。采用亚阈值驱动的像素单元电路工作电流范围为170pA到11.4nA。为了保证列总线的电压维持在一个比较高的值,采样保持电路采用“乒乓”操作。驱动电路采用已经商业可用的0.35μm 2P4M的CMOS 混合信号工艺进行制备。像素单元面积大小是15*15μm2,整个芯片的尺寸为15.5?12.3mm2。实验结果表明芯片能在刷新频率为60Hz下正常工作,并且能实现64阶灰度(单色)显示。在3.3V供电电压下整个芯片的功耗大约为85毫瓦。

关 键 词:微显示,硅基有机发光二极管,像素,高级视频图形阵列,64级灰度,缓冲器;
收稿时间:2011-09-07

The realization of an SVGA OLED-on-silicon microdisplay driving circuit
Zhao Bohu,Huang Ran,Ma Fei,Xie Guohu,Zhang Zhensong,Du Huan,Luo Jiajun and Zhao Yi. The realization of an SVGA OLED-on-silicon microdisplay driving circuit[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2012, 33(3): 035006-6
Authors:Zhao Bohu  Huang Ran  Ma Fei  Xie Guohu  Zhang Zhensong  Du Huan  Luo Jiajun  Zhao Yi
Affiliation:Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;National Laboratory of Integrated Optoelectronics, Jilin University, Changchun 130023, China;National Laboratory of Integrated Optoelectronics, Jilin University, Changchun 130023, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;National Laboratory of Integrated Optoelectronics, Jilin University, Changchun 130023, China
Abstract:
Keywords:microdisplay  OLED-on-silicon  pixel  SVGA  64 grayscale  buffer
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