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| 应用于X波段的0.2um V型栅槽AlGaN/GaN HEMT | |
| 作者姓名： | 王冲 何云龙 郑雪峰 郝跃 马晓华 张进城 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,西安电子科技大学微电子学院,西安电子科技大学微电子学院,西安电子科技大学微电子学院,西安电子科技大学微电子学院,西安电子科技大学微电子学院 |
| 基金项目： | 国家基础研究重大项目基金;国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 研制出0.2um栅长 V型栅槽AlGaN/GaN HEMT。该0.2um栅槽是由0.6um 的光刻设计尺寸经过SiN各项同性淀积和各项异性刻蚀而形成。该0.2um栅长V型栅槽AlGaN/GaN HEMT最大截止频率为35GHz，最大震荡频率60GHz。在10GHz频率和20V漏偏压下，该器件最大输出功率达到4.44 W/mm ，功率附加效率49%。 |
| 关 键 词： | 高电子迁移率晶体管，AlGaN/GaN异质结，V型栅槽 |
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