| 基于c-Si(P)衬底的a-Si/c-Si异质结模拟研究 |
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| 引用本文： | 汪建强,高华,张剑,孟凡英,叶庆好. 基于c-Si(P)衬底的a-Si/c-Si异质结模拟研究[J]. 半导体学报, 2012, 33(3): 033001-8 |
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| 作者姓名： | 汪建强 高华 张剑 孟凡英 叶庆好 |
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| 作者单位： | 上海超日太阳能科技股份有限公司 |
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| 基金项目： | 上海市科委和应用材料联合基金(No. 08520741400)以及上海市科委优秀学科带头人计划(No. 08XD14022) |
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| 摘 要： | 本文中研究了影响 a-Si/c-Si 异质结界面复合的主要因素： 表面固定电荷 ，缺陷态载流子俘获界面： ，以及界面缺陷态密度 。当缺陷能级 接近c-Si本征能级，且 满足时，缺陷态复合中心复合速度达到最大。AFORS-HET 软件模拟显示， a-Si/c-Si界面能带不连续显著影响电池Voc、界面缺陷态密度大于1*1010 cm-2.eV-1时，界面态密度的增加会严重降低电池Voc，但其对电池电流密度影响不大。对于c-Si (P)/a-Si (P ) 结构异质结，C-Si衬底的势垒 和a-Si材料内的势垒 对降低c-Si (P)/a-Si (P ) 结构的接触电阻和界面复合速度，表现各不相同。
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| 关 键 词： | 界面 模拟 基板 a-Si 硅 重组机制 复合中心 电池性能 |
| 收稿时间： | 2011-06-23 |
| 修稿时间： | 2011-06-23 |
Investigation of an a-Si/c-Si interface on a c-Si(P) substrate by simulation |
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| Wang Jianqiang,Gao Hu,Zhang Jian,Meng Fanying and Ye Qinghao. Investigation of an a-Si/c-Si interface on a c-Si(P) substrate by simulation[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2012, 33(3): 033001-8 |
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| Authors: | Wang Jianqiang Gao Hu Zhang Jian Meng Fanying Ye Qinghao |
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| Affiliation: | Shanghai ChaoRi Solar Energy Science & Technology Co., Ltd, Shanghai 201406, China;Shanghai ChaoRi Solar Energy Science & Technology Co., Ltd, Shanghai 201406, China;Shanghai ChaoRi Solar Energy Science & Technology Co., Ltd, Shanghai 201406, China;Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China;Department of Physics, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | a-Si/c-Si interface a-Si emitter property interface defect states |
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