| 抗反射条定域再结晶方法在SOI技术中的应用 |
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| 引用本文： | 杨晓军,马腾阁,张继盛,钱佩信.抗反射条定域再结晶方法在SOI技术中的应用[J].半导体学报,1990,11(2):111-117. |
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| 作者姓名： | 杨晓军 马腾阁 张继盛 钱佩信 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所，清华大学微电子学研究所，清华大学微电子学研究所，清华大学微电子学研究所 北京 北京电子管厂，北京，北京，北京 |
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| 摘 要： | 对Si_3N_4/SiO_2/Si多层膜系统对Ar~+激光的反射率进行了模型计算,设计了各种结构的抗反射条并且用CW—Ar~+激光对两种结构进行了再结晶实验研究。通过实验,确定了最佳的抗反射膜结构和条宽。用这种结构可以很好地将晶界限制在低反射区。实验结果支持了计算模型和设计。在设定的区域(500μm×300μm)范围内可以得到无晶界的条形薄膜(由光刻决定条的位置)。把MOSFET的栅区制作在膜的无晶介条上,测量得到表面电子和空穴迁移率分别为(μ-)_n=630cm~2/V·S·(μ-)_p=143cm~2/V·S;NMOS与PMOS管单位沟道宽度的沟道漏电流分别为I_n=3.3pA/μm,I_p=0.067pA/μm。
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| 关 键 词： | 抗反射束 SOI技术 激光束 薄膜 |
Study of Laser Recrystallization of Silicon on Insulator (SOI) with Antireflective Stripe |
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| YANG Xiaojun/Institute of Microelectronics,Tsinghua University,BeijingMA Tengge/Institute of Microelectronics,Tsinghua University,BeijingZHANG Jisheng/Institute of Microelectronics,Tsinghua University,BeijingTSIEN Peihsin/Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing.Study of Laser Recrystallization of Silicon on Insulator (SOI) with Antireflective Stripe[J].Chinese Journal of Semiconductors,1990,11(2):111-117. |
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| Authors: | YANG Xiaojun/Institute of Microelectronics Tsinghua University BeijingMA Tengge/Institute of Microelectronics Tsinghua University BeijingZHANG Jisheng/Institute of Microelectronics Tsinghua University BeijingTSIEN Peihsin/Institute of Microelectronics Tsinghua University Beijing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Antireflective stripe SOI Active area without grain boundary |
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