首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

一种基于电流比较的无基准电压Cap-less LDO
引用本文:刘凡,廖鹏飞,杨丰,罗萍.一种基于电流比较的无基准电压Cap-less LDO[J].微电子学,2022,52(5):832-836.
作者姓名:刘凡  廖鹏飞  杨丰  罗萍
作者单位:电子科技大学, 成都 610054;中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
摘    要:提出了一种基于电流比较的无基准电压型Cap-less LDO。将输出电压转换为电流后与参考电流比较,无需独立的基准电压模块,可降低功耗。在环路中插入了一个带有源反馈补偿网络的误差放大器,可增加环路增益,从而提升精度,在减少片上补偿电容的同时维持宽负载范围内的环路稳定性。该LDO采用65 nm标准CMOS工艺仿真验证,仿真结果显示,当负载电容为100 pF时,静态电流为9.4 μA,片上补偿电容仅需0.25 pF,当输出负载在100 μA和50 mA之间处切换时,恢复时间小于1 μs,带有源反馈LDO的上冲和下冲分别为94 mV和21 mV,和不带有源反馈的LDO相比,上冲和下冲分别减少了28%和79%。

关 键 词:LDO    恢复时间    快速瞬态响应
收稿时间:2022/8/4 0:00:00

A Current Comparison Based Capacitor-less LDO WithoutVoltage Reference
LIU Fan,LIAO Pengfei,YANG Feng,LUO Ping.A Current Comparison Based Capacitor-less LDO WithoutVoltage Reference[J].Microelectronics,2022,52(5):832-836.
Authors:LIU Fan  LIAO Pengfei  YANG Feng  LUO Ping
Affiliation:University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, P.R.China;The 24th Research Institute of China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China
Abstract:
Keywords:low drop-out regulator  recovery time  rapid transient response
点击此处可从《微电子学》浏览原始摘要信息
点击此处可从《微电子学》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号