| 适用于GaN栅极驱动的自适应死区时间控制电路 |
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| 引用本文： | 程汉,叶益迭,潘春彪,奚争辉. 适用于GaN栅极驱动的自适应死区时间控制电路[J]. 微电子学, 2022, 52(5): 764-771 |
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| 作者姓名： | 程汉 叶益迭 潘春彪 奚争辉 |
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| 作者单位： | 宁波大学 信息科学与工程学院, 浙江 宁波 315211 |
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| 基金项目： | 浙江省自然科学基金资助项目(LY20F010003)；宁波市自然科学基金资助项目(2019A610113)；国家自然科学基金资助重点项目(62131010)；宁波大学王宽诚幸福基金 |
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| 摘 要： | 设计了一种适用于GaN栅极驱动的自适应死区时间控制电路，该电路具有低延时、低功耗、高速、高开关频率的特点。电路通过单脉冲产生电路检测开关节点电压，以实现零静态功耗；加入互锁电路以防误触发，消除了由开关节点毛刺导致的上下管直通的现象。电路基于SMIC 0.18μm BCD工艺设计，仿真结果表明，死区时间可随负载变化而自适应调整，且当最坏情况开关节点电压的dv/dt=48 V/ns时，电路高低侧死区时间误差仅为1.59 ns和2.69 ns。
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| 关 键 词： | GaN 自适应死区时间控制 低功耗 互锁电路 |
| 收稿时间： | 2022-09-10 |
An Adaptive Dead Time Control Circuit for GaN Gate Drive |
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| CHENG Han,YE Yidie,PAN Chunbiao,XI Zhenghui. An Adaptive Dead Time Control Circuit for GaN Gate Drive[J]. Microelectronics, 2022, 52(5): 764-771 |
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| Authors: | CHENG Han YE Yidie PAN Chunbiao XI Zhenghui |
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| Affiliation: | Faculty of Electrical Engineering and Computer Science, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang 315211, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN adaptive dead time control low power interlock circuit |
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