| 一种高噪声抗扰度电容式电平位移电路 |
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| 引用本文： | 秦尧,明鑫,尤勇,林治屹,庄春旺,王卓,张波. 一种高噪声抗扰度电容式电平位移电路[J]. 微电子学, 2022, 52(5): 740-745 |
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| 作者姓名： | 秦尧 明鑫 尤勇 林治屹 庄春旺 王卓 张波 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054;华润微集成电路无锡有限公司, 江苏 无锡 214135;电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054;电子科技大学 重庆微电子产业技术研究院, 重庆 401331 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61974019) |
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| 摘 要： | 设计了一种适用于GaN半桥栅驱动的高噪声抗扰度的电容式电平位移电路。在浮动电源轨发生dV/dt切换和减幅振荡时，采用去耦开关完全消除了影响输出状态的共模噪声，采用动态开关减小了电路失配引起的差模噪声。利用电容耦合技术实现了高负压容忍度、亚纳秒级延时和低功耗。采用0.18μm高压BCD工艺进行电路设计。仿真结果表明，在50 V电平转换下，该电平位移电路的共模瞬态抗扰度达到200 V/ns, 200 V/ns转换速率下的失配容忍度达到30%,负压容忍度达到-5 V,平均传输延时为0.56 ns。
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| 关 键 词： | GaN半桥栅驱动 电容式电平位移电路 高噪声抗扰度 高负压容忍度 |
| 收稿时间： | 2022-09-05 |
A High Noise Immunity Capacitive Level Shifter |
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| QIN Yao,MING Xin,YOU Yong,LIN Zhiyi,ZHUANG Chunwang,WANG Zhuo,ZHANG Bo. A High Noise Immunity Capacitive Level Shifter[J]. Microelectronics, 2022, 52(5): 740-745 |
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| Authors: | QIN Yao MING Xin YOU Yong LIN Zhiyi ZHUANG Chunwang WANG Zhuo ZHANG Bo |
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| Affiliation: | State Key Lab.of Elec.Thin Films and Integr.Dev., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China;CRM ICBGWuxi Co., Ltd., Wuxi, Jiangsu 214135, P.R.China; State Key Lab.of Elec.Thin Films and Integr.Dev., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China;Chongqing Institute of Microelec.Industry Technol., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chongqing 401331, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | half-bridge GaN driver capacitive level shifter high noise immunity high negative voltage tolerance |
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