醇热还原法包覆超微Si3N4粉体

针对热CVD法制备的无定形超微Si3N4粉体表面富舍N—H键的特性，以RuCl3为钌源，采用醇热还原法对Si3N4粉体进行了钌包覆。并利用傅立叶红外光谱（FTIR）、紫外-可见光谱分析（UV—Vis）、扫描电子显微镜（SEM）和能谱仪（EDS）等检测手段对所得样品的结构和形貌进行了表征。研究结果表明，在Si3N4表面包覆了一层钌颗粒。并对钌包覆层的形成机理进行了讨论。