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| Insb磁敏电位器的研究 | |
| 引用本文： | 方培生. Insb磁敏电位器的研究[J]. 测控技术, 1999, 18(3): 15-16 |
| 作者姓名： | 方培生 |
| 作者单位： | 温州师范学院,320003 |
| 摘 要： | 介绍了以磁阻效应为工作原理的Insb磁敏电位器的设计和制作.这种传感器的主要特点是高分辨率、非接触、体积小、重量轻和使用寿命长.性能测试结果表明:输出电压为3.5 V/10°. |
| 关 键 词： | 半导体磁阻效应 Insb磁敏电位器 非接触磁敏电位器 |
| 修稿时间： | 1998-10-01 |
Research on Insb Magnetic-sensing Potentiometer |
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| Fang Peisheng. Research on Insb Magnetic-sensing Potentiometer[J]. Measurement & Control Technology, 1999, 18(3): 15-16 | |
| Authors: | Fang Peisheng |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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