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| 毫米波HBT | |
| 摘 要： | <正>日本松下电气公司的K.OGAWA和Y.OTA等在1990年12月的《EL》杂志上报道了毫米波HBT的制作和特性.这种AIGaAs/GaAs HBT是在未掺杂半绝缘衬底上生长外延层基区,其厚度为70nm.如此薄的基区是为了减小电子基区渡越时间.发射区尺寸为1×10μm,用单掩膜多次目对准工艺制成.其工艺特点是有小的埋层集电极、n~+-GaInAs发射极帽层和 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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