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| Ⅳ-Ⅵ族半导体材料构成光子晶体能态密度特性 | |
| 作者姓名： | 王发友 |
| 作者单位： | 临沂大学实验管理中心,山东临沂,276000 |
| 基金项目： | 山东省2001年高等学校科技计划 |
| 摘 要： | 应用平面波展开法,取Ⅳ-Ⅵ族的PbS、PbSe和PbTe半导体材料构成二维三角晶格光子晶体.数值模拟其构成光子晶体能态密度特性.结果表明,随着介电常数的增大,形成的光子带隙宽度增加.结论为光子晶体器件的开发提供参考. |
| 关 键 词： | 半导体材料 光子晶体 平面波展开法 能态密度 |
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