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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
Ⅳ-Ⅵ族半导体材料构成光子晶体能态密度特性
作者姓名:
王发友
作者单位:
临沂大学实验管理中心,山东临沂,276000
基金项目:
山东省2001年高等学校科技计划
摘 要:
应用平面波展开法,取Ⅳ-Ⅵ族的PbS、PbSe和PbTe半导体材料构成二维三角晶格光子晶体.数值模拟其构成光子晶体能态密度特性.结果表明,随着介电常数的增大,形成的光子带隙宽度增加.结论为光子晶体器件的开发提供参考.
关 键 词:
半导体材料
光子晶体
平面波展开法
能态密度
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