日本开发成功高质量p型氧化锌单晶基板

日本九州工业大学的中尾基副教授和日本COLMO公司成功开发出高质量、低成本制备氧化锌晶片的技术。首先利用硅基板上的碳化硅缓冲层制作n型氧化锌单晶薄膜基板，然后用CVD法在基板上沉积p型氧化锌单晶薄膜。这种制备方法在世界尚属首次。基板的电阻率非常低，达到实用化水平。该基板有望替代市场巨大的氮化镓基板，还可应用于各种传感器及光电转换元件等。