| CF4,CH4制备氟化非晶碳薄膜工艺研究 |
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| 引用本文： | 刘雄飞,肖剑荣,李幼真.CF4,CH4制备氟化非晶碳薄膜工艺研究[J].真空,2004,41(1):22-25. |
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| 作者姓名： | 刘雄飞 肖剑荣 李幼真 |
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| 作者单位： | 中南大学物理科学与技术学院,湖南,长沙,410083 |
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| 摘 要： | 以CF4和CH4为源气体,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备了不同工艺条件下的氟化非晶碳(a-C∶F)薄膜.发现薄膜的沉积速率和射频功率几乎成正比关系,薄膜中氟的存在是导致薄膜具有紫外吸收特性的根本原因;用傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析可知薄膜中有C-F基团的存在,使得薄膜的介电常数降低;合理控制沉积条件,可获得理想的电介质薄膜.
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| 关 键 词： | 氟化非晶碳薄膜 射频功率 介电常数 |
| 文章编号： | 1002-0322(2004)01-0022-04 |
Study on fluorinated amorphous carbon thin films prepared by CF4 and CH4 |
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| LIU Xiong-fei,XIAO Jian-rong,LI You-zhen.Study on fluorinated amorphous carbon thin films prepared by CF4 and CH4[J].Vacuum,2004,41(1):22-25. |
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| Authors: | LIU Xiong-fei XIAO Jian-rong LI You-zhen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PECVD |
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