| 多层NMOS技术对I/O接口的ESD保护作用 |
| |
| 引用本文： | 李翠,柳海生,袁晓岚. 多层NMOS技术对I/O接口的ESD保护作用[J]. 微处理机, 2005, 26(6): 7-9 |
| |
| 作者姓名： | 李翠 柳海生 袁晓岚 |
| |
| 作者单位： | 1. 东北微电子研究所,沈阳,110032
2. 加野麦克斯仪器(沈阳)有限公司,沈阳,110136 |
| |
| 摘 要： | 本文提出了NMOS堆栈触发控制硅整流器（SNTSCR）作为ESD箝制工艺用来保护CMOS芯片的I／O端。与没有使用厚栅氧化层来克服栅氧化可靠性的CMOS工序充分兼容。在0．35μmCMOS工序中，有不同参数布局的ESD SNTSCR工艺已经研究过。带有1．20μmNMOS堆栈沟道的I／O端的人体模式ESD（HBMESD）电平可以借助只有60μm／0．35μm的SNTSCR由2kv提高到8kv。
|
| 关 键 词： | 静电放电（ESD） ESD保护 多种组合电平I／O端 控制硅整流器（SCR） |
| 文章编号： | 1002-2279（2005）06-0007-03 |
| 收稿时间： | 2004-08-04 |
| 修稿时间： | 2004-08-04 |
Stracked -NMOS Triggered Silicon -controlled Rectifier for ESD Protection in High/Low-Voltage-Tolerant I/O Interface |
| |
| LI Cui,LIU Hai-sheng,YUAN Xiao-lan. Stracked -NMOS Triggered Silicon -controlled Rectifier for ESD Protection in High/Low-Voltage-Tolerant I/O Interface[J]. Microprocessors, 2005, 26(6): 7-9 |
| |
| Authors: | LI Cui LIU Hai-sheng YUAN Xiao-lan |
| |
| Affiliation: | 1. Northeast Microelectronics Institute, Shenyang 110032, China; 2. KANOMAX Instrument ( shenyang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Electrostatic discharge(ESD) ESD protection Mixed-voltage I/O buffer Silicon-controlled rectifier(SCR) |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
