氢在沉淀强化合金γ/γ′间占位的第一原理计算 |
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引用本文: | 李秀艳,张建,戎利建,李依依.氢在沉淀强化合金γ/γ′间占位的第一原理计算[J].材料科学与工程学报,2005(5). |
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作者姓名: | 李秀艳 张建 戎利建 李依依 |
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作者单位: | 中国科学院金属研究所 辽宁沈阳110016
(李秀艳,张建,戎利建),中国科学院金属研究所 辽宁沈阳110016(李依依) |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(10476030). |
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摘 要: | 本文针对沉淀强化奥氏体合金氢脆通常较单相奥氏体严重这一点,采用离散变分方法对氢在沉淀强化奥氏体合金中γ基体与γ′相之间占位进行了第一原理计算和分析。结果表明,氢原子在一般沉淀强化合金的γ与γ′相错配度范围内不会偏聚在相界,而是倾向进入基体中,错配度的微小变化对氢的占位没有影响。只有错配度大于3.7%左右,相当于有一定应变的条件下,氢才会有进入γ′相的倾向。在形变过程中进入γ′相的氢使得γ基体与γ′相界面原子成键的方向性增强,从而影响合金的氢脆性能。
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关 键 词: | 氢 第一原理计算 错配度 沉淀强化奥氏体合金 |
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