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高性能AISiCp封装技术
引用本文:汪奕,刘捷.高性能AISiCp封装技术[J].电子机械工程,2006,22(3):27-29,33.
作者姓名:汪奕  刘捷
作者单位:南京电子技术研究所,江苏,南京,210013;南京电子技术研究所,江苏,南京,210013
摘    要:AISiCp封装构件具有众多电子领域应用所需的优异性能:低密度、高热导率、高刚度和可设计调节的热膨胀系数。与Cu/W、Cu/Mo散热基板和Kovar外壳相比,AISiCp电子封装构件可明显减轻重量,而采用近净成形的铸造工艺,在成本和生产效率上也可与AI合金外壳相媲美。

关 键 词:AlSiCp电子封装材料  预制件  液相浸渗  热膨胀系数  高热导率  表面镀涂
文章编号:1008-5300(2006)03-0027-03
修稿时间:2006年3月23日

Packaging Technology Using High-performance Aluminum Silicon Carbide
WANG Yi and LIU Jie.Packaging Technology Using High-performance Aluminum Silicon Carbide[J].Electro-Mechanical Engineering,2006,22(3):27-29,33.
Authors:WANG Yi and LIU Jie
Affiliation:Nanjing Research Institute of Electronics Technology and Nanjing Research Institute of Electronics Technology
Abstract:Light weight,high thermal conductivity,high rigidity and controllable coefficient of thermal expansion(CTE) properties of AlSiCp are desirable properties for many electronic applications.Because of the close match in CTE,ceramic substrates and semiconductor dies can be directly attached to AlSiCp components.The AlSiCp composite provides significant weight advantage over Cu/W,Cu/Mo heat dissipaters and Kovar housings while the casting process permits custom and cost effective solutions to replace aluminum housings.
Keywords:aluminum silicon carbide electronic packaging materials  perform  liquid infiltration  thermal expansion properties  high thermal conductivity  surface treatment  
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